据了解22纳米工艺的芯片还只是未来3年以后的产品，但是IBM此次的喜讯意味着这个芯片制造商将会轻易地在2011年年末进入22纳米工艺的新的芯片制造阶段。这可是首次业界领头羊英特尔因为其他竞争对手在工艺水平的先走一步的压力而被迫花大力气并费上额外的时间来进入这个新的22纳米工艺领域来维持其业界霸主的地位。

　　SRAM芯片是典型的半导体行业测试新工艺手段的首选设备，这可是迈向微型处理器的关键的第一步。该设备是由AMD、飞思卡尔（Freescale）、IBM、意法半导体（STMicroelectronics）、东芝以及纳米科学与工程学院(CNSE)联合开发和制造的。这种22纳米工艺的SRAM芯片是从300mm晶圆上切割而来，采用传统的六晶体管设计方案，整个芯片面积仅有0.1平方微米。而英特尔的45纳米处理器的SRAM芯片面积为0.346平方微米。

　　和目前主流的处理器工艺水平相比，22纳米工艺水平则是两代之后的技术（60纳米一代，45纳米一代）。而令人颇感尴尬的是，参与到此项22纳米工艺项目的AMD还在45纳米工艺上苦苦地去追寻英特尔的脚步。英特尔曾于去年九月份展示了其首个32纳米的SRAM芯片晶圆，实际上也没有至少在今年展示22纳米RAM芯片的计划。据悉在此次的秋季IDF上，英特尔就展示了其32纳米工艺水平的处理器原型。

　　对此，IBM表示已经步入32纳米处理器的正轨并希望能够引领32纳米的High-K金属栅极技术。令人遗憾的是IBM并未公布此事的更多细节性内容。据了解英特尔自去年晚期以来就在其45纳米工艺的Penryn处理器上使用High-K金属栅极技术。

　　坦诚地说我们离22纳米甚至32纳米工艺处理器还是有着相当的距离，但是此事的意义在于IBM极其合作伙伴在处理器制作工艺上首次超过了业界领头羊，追赶的压力首次落到了英特尔这边。

　　随后英特尔针对此事发表了迥然不同的意见。英特尔发言人Nick Knupffer表示，“的确IBM与其合作伙伴们制造出了最小的SRAM芯片，但是生产出一个单独的SRAM仅仅是在微影缩微上的操作（lithography scaling）而已。他们也仅仅是公布了22纳米的SRAM芯片，而非22纳米的SRAM阵列。一个单独的SRAM芯片只不过是有着六个晶体管而已。我们英特尔于去年展示的32纳米SRAM阵列有着多达2.9亿个芯片单元以及总计达19亿之巨的晶体管数量。此外IBM也表示进入了32纳米SRAM阵列使用的是High-K金属栅极技术，而我们的32纳米的工艺技术则使用的是我们第二代High-K金属栅极晶体管。”